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バイアス式 PIN フォトダイオード


Siタイプには1nsのものと0.5nsのものがあります。
1nsのものは 受光面積が、0.5nsのものは立ち上がり・立ち下がり時間が
勝っています。
お使いの測定器(オシロスコープ等)の帯域が200MHz以下であれば
1nsのものをおすすめいたします。


バイアス式 Si PIN フォトダイオード 1ns  標準製品
                 \17,500(税別)
      9V電池ケース付 \19,500(税別)

ナノ秒Q-スイッチレーザーのパルス波形観測や
フェムト秒又はピコ秒モードロックレーザーのパルストレイン観測に適しています。
以下の特徴があります。
1nsの立ち上がり・立ち下がり時間
小型ボディ(アルミ切削加工による一体型
バイアス電源と別になっており、用途にあったバイアス電源を使用することが出来ます。
電池交換等で本体に触れる必要がなく、位置がずれません。
万が一故障した場合の修理が可能です(本体ケースが損傷した場合は
修理できないことがあります)。
オプションあり

お客様の御要望にあわせた特注品も承りま す。
詳しくはphotodiodeSi1_20090214.pdf (221kB、カタログ)をご覧下さい。


バ イアス式 Si PIN フォトダイオード 0.5ns 標準製品
                 \17,500(税別)
      9V電池ケース付 \19,500(税別)

ナノ秒Q-スイッチレーザーのパルス波形観測や
フェムト秒又はピコ秒モードロックレーザーのパルストレイン観測に適しています。
以下の特徴があります。
0.5nsの立ち上がり・立ち下がり時間
小型ボディ(アルミ切削加工による一体型)
バイアス電源と別になっており、用途にあったバイアス電源を使用することが出来ます。
電池交換等で本体に触れる必要がなく、位置がずれません。
万が一故障した場合の修理が可能です(本体ケースが損傷した場合は
修理できないことがあります)。
オプションあり

お客様の御要望にあわせた特注品も承りま す。
詳しくは photodiodeSi05_20090214.pdf (221kB、カタログ)をご覧下さい。


バイアス式 InGaAs PIN フォトダイオード 1ns 標準製品
                 \19,500(税別)
      9V電池ケース付 \21,500(税別)

ナノ秒Q-スイッチレーザーのパルス波形観測や
フェムト秒又はピコ秒モードロックレーザーのパルストレイン観測に適しています。
以下の特徴があります。
1nsの立ち上がり・立ち下がり時間
小型ボディ(アルミ切削加工による一体型)
バイアス電源と別になっており、用途にあったバイアス電源を使用することが出来ます。
電池交換等で本体に触れる必要がなく、位置がずれません。
万が一故障した場合の修理が可能です(本体ケースが損傷した場合は
修理できないことがあります)。
オプションあり

お客様の御要望にあわせた特注品も 承ります。
詳しくは photodiodeInGaAs1_20090214.pdf (220kB、カタログ)をご覧下さい。


フォトダイオード 各オプション
無料オプション
固定用ネジ穴のM4 又は1/4"-20 への変更
マイナス信号出力への変更
有料オプション
SMA 信号出力端子への変更
DC ソケットへの変更、AC アダプタの追加
FC コネクタ用光ファイバーレセプタクルの追加

オプションにないものについては、特注品と して 承ります。
各オプションは、本体を御注文の際に御指定下さい。
詳しくは photodiodeOption_20150511.pdf (136kB、カタログ)をご覧下さい。


フレキシブルBNC延長ケーブル 標準製品
               \2,500(税別)

フォトダイオード等の軽い機器とBNCケーブルの間に接続することで
BNCケーブルの曲げに連動した機器の動きが少なくなります。
以下の特徴があります。
やわらかく曲がりやすい(最小曲げ半径25mm)。
全長を200mmと短くすることで高周波成分の減衰を抑えてあります。
片側がプラグ、反対側はジャックとなっているのでそのまま
機器(レセプタクル)と通常のBNCケーブル(プラグ)の間につなげます。

詳しくは flexiblecable_20090416.pdf (184kB、カタログ)をご覧下さい。



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